原子層沉積系統

 

產品分類：電子生產製造設備

廠商名稱：大永真空設備股份有限公司

攤位號碼：N328

 

產品特色

 

原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是可以被用來替換CVD、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)和濺鍍技術的新製程。原子層沉積也是化學氣相沉積技術(CVD)的一種，其與CVD的差異在於ALD將傳統CVD的反應過程分成兩個部分的半反應(Half-reactions)。一為前驅物的化學吸附飽和程序(Chemisorption saturation process)，另一為輪替的(Sequential)表面化學反應程序。

前驅產物和材料表面發生連續的、自限性(Self-limiting)的反應，薄膜通過分別和不同的前驅產物進行反應緩慢沉積，將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面，形成單一層膜(1~2 Å)的沉積，因此ALD薄膜的成長是控制在單一原子層之厚度區間，形成階梯覆蓋與大面積均勻性之薄膜。

隨著原子層沉積具有高緻密性、高厚度均勻性、高階梯覆蓋率、低溫製程與原子級精密控制厚度等特點，除了可進行超薄高介電材料鍍膜外，亦可針對微小的電路結構提供孔洞填補能力，如具高深寬比的結構與相關領域中提供厚度均勻的鍍膜。原子層沉積是關鍵的半導體設備裝配方法，也可以成為一些奈米材料合成方法中的一環未來開發的領域，包括半導體積體電路、微機電、薄膜電晶體、OLED顯示器與元件封裝。

 

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