Micro LED應用邁向終端市場，但量產製程仍持續改善推進，雷射技術開發的新創公司飛傳科技近年來投入 非接觸式的光轉置技術，目前延伸開發出獨家全雷射製程，涵蓋雷射巨量轉移、分選、焊接、點錫等全面配 套的雷射製程，並與中國面板廠合作，提供高階Mini LED巨量轉移的出貨需求;Micro LED則進入驗證階 段，2024年可望透過雷射點錫的特殊製程，導入台廠的先進封裝供應鏈。

飛傳執行長陳彌彰表示，由於團隊開發出雷射巨量轉移的技術，但卻面臨缺乏上、下段雷射配套製程的問 題，因此決定自行延伸開發相關設備及平台，約耗費2~3年才完成全雷射製程的目標。

此套全雷射製程共有三大亮點;首先，從小至20μm Micro LED、Mini LED，甚至大至1mm的LED晶片均可 對應;第二，能以高速雷射轉置、分選與焊接LED晶片於玻璃、陶瓷、金屬、PCB與可撓性等不同材質基 板;第三，雷射轉印錫膏能夠對應Mini LED或三色合一封裝的Micro LED晶粒。

目前業界在巨量轉移採取主流Stamp量產方案，雖然搬運大量晶粒的良率趨於成熟，但無法選擇性進行分選或修補;其次，針對Mini LED厚度較厚及晶粒較重，無法用在Mini LED進行轉移，而雷射的能量集中，速度快 及應用靈活;在調整光板大小後，可應用Mini或Micro Led。

兩岸多家面板廠對Micro LED巨量轉移研發興趣濃厚，但由於技術門檻較高，近來轉為尋求特定廠商進行技 術合作，飛傳近期與中國面板業者展開合作，從巨量轉移(包含排列、分選、混晶可同時進行，以簡化步驟 與時間)、檢測修補及翻貼，並採取雷射轉印錫膏及雷射焊接黏合，再交由下游面板客戶。

在巨量轉移部分，經由非UV波段的雷射掃描系統，照射LED晶粒的光感膠後，使晶粒下落到目標基板上，由 於採取非接觸式光感測技術，可避免影響晶粒密度。飛傳表示，Micro LED最高轉移速度約可達到單色1,200 萬顆/小時，實際轉移速度與晶粒大小、光學與機器配合有關。近期實際測試的結果，以晶粒尺寸100μm Mini LED而言，每小時轉移速度達到400萬顆，雷射巨量轉移的良率也達到99.99%。

目前的技術挑戰主要在錫膏轉印。傳統錫膏轉印是用鋼版印刷，在打好網孔後對準電極位置，但隨著元件愈做愈小、鋼板愈來愈薄，容易造成損壞及消耗壽命較短;若採取雷射掃描將不需要開模板，並可自由選擇錫 膏位置，穩定度也比較好，以雷射掃描系統從基材面發射雷射光束，便能完成焊接轉印，錫膏可以直接塗佈於LED元件上的電極。

陳彌彰表示，目前多家LED大廠採用Pick & Place方式來放取晶片，且既有設備成本幾乎攤提完畢，但隨著顯示畫質要求愈來愈高，LED晶粒顆粒愈來愈小，採用高精度基板的成本也將會提高，以傳統製程應用於玻璃基板，在高階Mini LED及Micro LED封裝將能發揮優勢。

儘管飛傳發展初期以雷射巨量轉移為主，但近期隨著半導體產業對先進封裝製程投入的熱度提高，陳彌彰指出，近期有不少台灣封裝廠商探詢雷射製程搭配，由於目前業界缺乏雷射點錫的解決方案，未來有機會對應 到半導體3奈米以下的精密點錫製程，打入先進封裝的相關供應鏈。