• 陳宗鼎

     

    技術中心 副總經理

    羅姆半導體股份有限公司

     

     

    主題

     

    應用第三代化合物半導體GaN在PFC上的效率提升, 容易產生EMI的問題和解決方案

     

    講師簡介

     

    經歷： 羅姆半導體, 美商艾睿電子, 美商勝天半導體

     

    演講大綱

     

    由於第三代化合物半導體GaN使用新的製程和設計架構, 使得應用GaN在AC/DC的PFC架構開關迴路設計上可以有效降低切換功率損失(switching losses), 反向導通功率損失(reverse conduction losses), 並有效提升功率密度(power density)。然而, 由於GaN可以讓開關速度提升, 所以相對地, 在PFC設計上相對地容易產生EMI的問題, 對於PFC設計者一直是一大挑戰, 我們將介紹一些相關的解決方案來解決EMI